Разработан метод наноразмерной визуализации напряжений в кристаллических решётках эпитаксиальных плёнок
Изначально метод
Вместо этого в новом приборе изображение формируется благодаря компьютерной реконструкции рассеянных электронных волн, прошедших через образец. Иными словами, в основе его работы лежит определение фазы рассеянной электронной волны для идентификации местоположения атома в образце, от которого она и пришла. В результате создателям птихографического метода удалось добиться значительного повышения разрешающей способности электронного микроскопа — в пять с лишним раз. Более того, есть мнение, что дальнейшее развитие этой технологии позволит достичь разрешения в 1/10 диаметра атома.
Ну а новый дифракционный метод, созданный в
Рассматриваемая работа, опирающаяся как на внутренние размерные эффекты (intrinsic size effects), так и на внешние граничные условия, делает реальностью неразрушающие исследования структурных особенностей материалов в нанометровом масштабе, когда проведение теоретических расчётов и практических измерений, а также установление контроля над возникающими напряжениями является крайне трудной задачей.
Прототип устройства и схема эксперимента (иллюстрация ACS).
Нанофокусированная рентгеновская птихография
В качестве практического примера исследователи построили профиль напряжений в кристаллической структуре эпитаксиальной плёнки SiGe на SOI-подложке (кремний на изоляторе), являющейся источником стресса (ввиду отличного от SiGe значения параметра кристаллической решётки).
Подробнее о результатах эксперимента и основах нового метода рассказывается в журнале
Подготовлено по материалам