Intel и Micron начали печать первых 20-нм модулей флеш-памяти

Медленно, но уверенно флеш-память продолжает наращивать объёмы и становиться дешевле. Компании Intel и Micron сделали очередной шаг в этом направлении с анонсом 20-нм чипов флеш-памяти типа NAND объёмом 8 Гбайт, образцы которых уже начали печататься. Этот чип является результатом работы предприятия IM Flash Technologies — совместного детища обеих компаний.

По данным Intel и Micron, площадь 8-Гбайт чипа составляет всего 118 мм², что на 30—40% меньше по сравнению с 25-нм чипами той же ёмкости. Производители также сообщают, что производительность и надёжность 20-нм чипов нисколько не уменьшилась по сравнению с 25-нм. Это важное достижение, ведь обычно более тонкий техпроцесс приводит к уменьшению долговечности флеш-памяти.

Слева направо: два 34-нм кристалла объёмом 4-Гбайт, один 8-Гбайт 25-нм и новый 8-Гбайт 20-нм

Массовое производство 6-гигабайтных чипов флеш-памяти начнётся, как сообщают Intel и Micron, во второй половине текущего года. Тогда же будут получены и первые образцы 16-Гбайт чипов на 20-нм техпроцессе.

В конце прошлого месяца Intel представила новые транзисторные накопители 320-й серии, в основе которых лежат 25-нм чипы, созданные на мощностях IM Flash Technologies. Эти SSD отнюдь не являются дешёвыми — официальная стоимость 120-Гбайт модели составляет $210. Тем не менее, постепенно цены на SSD снижаются. Несколько сдерживает этот процесс постоянно растущий спрос на флеш-память со стороны производителей мобильной электроники.