Отдел исследований и разработок компании Intel совместно с Калифорнийским Университетом из Санта-Барбары создали первый в мире гибридный кремниевый лазер.
Это говорит о том, что компании Intel удалось преодолеть барьер на пути к дешевым оптоволоконным кремниевым устройствам с большой пропускной способностью.
Ученые объединили фосфид иридия и кремний в одном чипе. При подаче напряжения генерируется излучение, которое передается по кремниевым каналам, образуя непрерывный лазерный луч.
По словам директора лаборатории фотоники компании Intel, Марио Паницци (Mario Panniccia), технология еще далека от коммерческого внедрения, но добавил, что использование этой технологии позволило бы достичь пропускной способности в несколько терабит.