HTC Runnymede и Bliss: полный список характеристик новых Android-смартфонов
Компания HTC никогда не отличалась особой заботой к информации о своих новых продуктах. И вот, в результате последней утечки, в Интернет попал полный список спецификаций сразу двух новых смартфонов – HTC Runnymede и HTC Bliss.

Обе новинки, и HTC Runnymede, и HTC Bliss были известны читателям МобайлДевайс и ранее, однако до этого дня все их спецификации были очень сомнительны. Сегодня же мы располагаем их полным списком, и сомнений в том, что они неверны, у нас мало. Смартфон HTC Runnymede представляет собой бесклавиатурный моноблок с 4,7-дюймовым сенсорным дисплеем с разрешением 480х800 пикселей. В Список технических характеристик новинки входят 8-мегапиксельная камера с автофокусом и двойной светодиодной вспышкой, одноядерный процессор Qualcomm MSM8255 с тактовой частотой 1,5 ГГц, 768 мегабайтов оперативной и 16 гигабайтов физической памяти, модули Wi-Fi 802.11b/g/n и Bluetooth 3.0, GPS-ресивер, FM-приемник, 3,5-миллиметровый аудиоразъем для наушников, цифровой компас, гироскоп, акселерометр, сенсор освещенности, сенсор приближения, аккумулятор емкостью 1600 мАч, а также двойной микрофон.
Модель HTC Bliss представлена в аналогичном форм-факторе, однако уже с 3,7-дюймовым экраном, разрешение которого также составляет 480х800 пикселей. Характеристики данного аппарата немного скромнее, чем у HTC Runnymede, и включают в себя 5-мегапиксельную камеру с автофокусом и светодиодной подсветкой, процессор Qualcomm MSM 8255 с тактовой частотой 1 ГГц, 768 мегабайтов оперативной и 4 гигабайта физической памяти, слот для карт памяти формата microSD, модули Wi-Fi 802.11b/g/n и Bluetooth 3.0, GPS-ресивер, FM-приемник, цифровой компас, сенсор движения, сенсор приближения, сенсор освещенности, 3,5-миллиметровый разъемом для наушников, а также аккумулятор емкостью 1600 мАч. Официальный анонс обоих новинок, предположительно, состоится 20 сентября в Нью-Йорке.