Samsung начала массовое производство самой современной оперативной памяти DDR5 по техпроцессу 14-нм EUV

Samsung на деле доказала превосходство фирменных техпроцессов для выпуска кристаллов оперативной памяти. Она долгое время была технологическим лидером отрасли, но последние два–три года уступила в этом американской компании Micron. Сегодня Samsung снова впереди с самым передовым 14-нм техпроцессом, в котором расширено использование сканеров диапазона EUV. По сумме технологических прорывов равных в этом ей нет.

Источник изображения: Samsung

Официальным пресс-релизом компания Samsung сообщила, что приступила к массовому выпуску памяти стандарта DDR5 с использованием 14-нм техпроцесса. Впервые за 11 лет компания назвала точные нормы масштаба техпроцесса, вместо неинформативной фразы о том или ином классе техпроцесса, например, о 10-нм классе, если говорить о представленной сегодня памяти. Но сделано это под давлением инвесторов, которые подозревали, что по технологичности производства памяти Samsung начала уступать Micron.

И действительно, изучение кристаллов памяти Micron показало, что даже без EUV-сканеров память этого производителя выпускается с нормами, близкими к 14 нм (14,3 нм). Память компании Samsung при этом выпускалась с технологическими нормами ближе к 20 нм, чем к 14. Скрывать точную информацию позволяла классификация. Когда это раскрылось, представитель Samsung пообещал, что компания выпустит честную 14-нм память осенью 2021 года. Сегодня такая память начала производиться в массовых количествах, так что Samsung своё слово сдержала и, повторим, впервые за более чем две пятилетки не стала скрывать техническую информацию.

Источник изображения: Samsung

Кому-то это может показаться малозначительным событием. Но для понимания достижений той или иной компании в отрасли это очень и очень ценная информация, которую раньше приходилось добывать из третьих и часто непроверенных источников. Надеемся, инициативу Samsung поддержат другие производители памяти, и мы получим ещё одну точку опоры для сравнения техпроцессов разных компаний.

Кроме того, при производстве новой памяти число слоёв, которые изготавливаются с помощью сканеров EUV, увеличено с двух до пяти. Можно утверждать, что теперь большинство критических слоёв в памяти производства Samsung выпускается с использованием самого передового в мире литографического оборудования. Компания Micron к этому придёт только через пару лет или около того, а SK hynix только-только начинает производство с использованием 13,5-нм сканеров EUV.

Источник изображения: Samsung

За счёт расширения перехода на производство с помощью сканеров EUV компания Samsung смогла ещё немного повысить плотность ячеек памяти и, в частности, на 20 % увеличила выпуск кристаллов памяти (очевидно, с каждой пластины). Дополнительно переход на 14-нм техпроцесс позволил снизить энергопотребление памяти почти на 20 %, а благодаря новому стандарту скорость передачи достигает беспрецедентного значения 7,2 Гбит/с, что более чем в два раза превышает скорость DDR4, достигающей 3,2 Гбит/с.