Samsung: старт производства 60-нм чипов DDR2

На днях компания Samsung сообщила о начале массового производства гигабитных чипов памяти типа DDR2 DRAM по 60-нм проекционным нормам. До этого многие компании сообщали о создании DRAM-чипов и по более прецизионным техпроцессам, но это были всего лишь прототипы и инженерные образцы. Заслуга же Samsung в том, что она впервые в отрасли смогла наладить массовое производство 60-нм чипов памяти типа DDR2 DRAM.
По сравнению с 80-нм техпроцессом, который был внедрен компанией Samsung в марте прошлого года, эффективность производства по новой технологии выше на 40%, а по сравнению с 90-нм – в два раза.
Справедливо отмечается, что выпуск гигабитных чипов довольно актуален в настоящее время в связи с распространением требовательной к оперативной памяти операционной системы Windows Vista. На базе новых чипов уже разрабатываются модули ОЗУ DDR2-667/800 емкостью 512 Мб, 1 и 2 Гб. Ожидается, что переход других производителей на более тонкие нормы производства перенесет гигабитные чипы в массовый сегмент (на данный момент к мэйнстриму относятся чипы плотностью 512 Мбит).
Переходу на 60-нм нормы способствовало применение неплоских (трехмерных) транзисторов. В новых чипах Samsung применила технологию RCAT (resses channel array transistor), что позволило существенно увеличить плотность размещения элементов на подложке. К слову, эта технология впервые была применена для производства 90-нм чипов. Планируется её внедрение и при переходе на 50-нм нормы.
Интересным нововведением стало применение конденсаторов, созданных по технологии «металл-диэлектрик-металл» (metal-insulator metal, MiM). Еще одной инновацией стало применение недавно анонсированной технологии селективного (выборочного) эпитаксиального роста (selective epitaxial growth, SEG), которая повышает быстродействие и позволяет понизить энергопотребление. Впрочем, Samsung еще раз доказала, что является лидером рынка DRAM не зря.