Гордость Samsung: самые маленькие 2-Гбит DDR3 чипы

Samsung Electronics вновь отрапортовала о своих достижениях в области электроники. На этот раз южнокорейский производитель с гордостью рассказал о создании наименьших в отрасли двухгигабитных микросхем DDR3-памяти. Новинки спроектированы с учетом 50-нм норм, опережают на 60% по производительности чипы DDR2 с аналогичной плотностью и позволяют сэкономить до 40% электроэнергии по сравнению с типичными гигабитными DDR3-микросхемами.

Как отмечается, при использовании 2-Гбит микросхем Samsung производители могут проектировать RIMM модули памяти емкостью до 16 Гб с применением двухкристалльных упаковок (dual-die packages). При стандартной компоновке разработчики могут создавать модули RIMM емкостью до 8 Гб, а также модули SODIMM и UDIMM емкостью до 4 Гб. Скорость передачи данных новых микросхем памяти достигает 1,3 Гбит/с.

Samsung надеется, что в следующем году большинство её DRAM-микросхем будет производиться по 50-нм техпроцессу. Массовый выпуск 50-нм 2-Гбит чипов намечен на конец этого года.

Напомним, в 2000 году Samsung выпускала DRAM-память по 150-нм проектным нормам, а о первом применении 50-нм технологии для производства DRAM было объявлено в апреле этого года с анонсом новых гигабитных DDR2 микросхем.

По сообщению исследовательской группы IDC, к 2011 году доля DDR3-микросхем на рынке DRAM составит 72%. Кроме того, 2-гигабитные микросхемы, которые будут занимать на рынке всего 3% в 2009 году, будут становиться всё популярнее и уже к 2011 году они оккупируют 33% рынка.