SK Hynix разработала модуль RAM на 128 Гб

Южнокорейский производитель чипов SK Hynix объявил о том, что находится на пути к анонсу самого передового модуля оперативной памяти. Ожидается, что он получит целых 128 Гб. Новые модули оперативной памяти типа DDR4 разработаны по технологии Through Silicon Via (TSV) и позволяют существенно улучшить скорость и эффективность работы чипа (ну и плюс поддержка DRAM).

По словам производителя, модуль на 128 гигабайт оперативной памяти способен достигать скорости в 2133 мегабит в секунду, что значительно выше привычных 1333 мегабит у стандарта предыдущего поколения, известного как DDR3. Кроме того, чипы от SK Hynix будут потреблять значительно меньше энергии, так как поддерживают пониженное напряжение питания: 1,2 вольта против 1,35 вольта у предшественника. Ожидается, что массовое производство памяти DDR4 объемом в 128 гигабайт начнется уже в начале 2015 года. На первых компьютера и ноутбуках новый модуль появится уже летом 2015 года. Хотя, сразу стоит отметить, что позволить себе этот чип смогут далеко не все — его стоимость составит не менее 3000 долларов.