SK hynix внедрила EUV-литографию в массовом производстве микросхем оперативной памяти

Производители оперативной памяти постепенно пришли к осознанию того, что переход на использование литографии со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV) способен себя оправдать с коммерческой точки зрения. SK hynix начала массовое производство микросхем LPDDR4 с использованием EUV-литографии и четвёртого поколения 10-нм технологии.

Источник изображения: SK hynix

Строго говоря, производители оперативной памяти предпочитают говорить о техпроцессе 10-нм класса, поэтому точные геометрические параметры порой определить весьма сложно, но в случае с продукцией SK hynix нормам «1a нм» предшествовали 1x, 1y и 1z. Компания утверждает, что частичное внедрение EUV-литографии начала ещё в рамках техпроцесса 1y, но только к 1a она достигла адекватной зрелости для масштабирования в условиях массового производства. По сравнению с техпроцессом 1z, количество получаемых микросхем памяти типа DRAM с одной кремниевой пластины удалось увеличить на 25 % именно за счёт внедрения EUV-литографии.

Выпускаемые сейчас 8-гигабитные микросхемы LPDDR4-4266 обладают сниженным на 20 % уровнем энергопотребления. С начала следующего года техпроцесс 1a будет применяться для производства микросхем памяти типа DDR5, как отмечает SK hynix в тексте пресс-релиза. Микросхемы LPDDR4, изготовленные с применением EUV-литографии, с текущего полугодия начнут получать производители смартфонов.