Micron выпустила инженерные образцы памяти RLDRAM 3

Компания Micron Technology заявила о доступности первых инженерных образцов памяти RLDRAM третьего поколения (RLDRAM 3). RLDRAM 3 является технологией памяти с высокой пропускной способностью, которая обеспечивает более эффективную передачу информации в сети.

Эта память нацелена на высокопроизводительные сетевые приложения, включая маршрутизаторы high-end-класса и концентраторы, предъявляющие высокие требования к производительности чтения/записи или полностью случайного доступа. Как отмечает Micron в своём пресс-релизе, RLDRAM 3 является идеальным выбором для 40- и 100-Гбит Ethernet-решений, буферизацией пакетов и таблиц соответствия. Кроме того, эта память отличается более высокими скоростными характеристиками, плотностью, низкой латентностью и потребляемой мощностью.

Основными факторами, вызывающими рост требований к эффективности сетевой инфраструктуры и её подсистемы памяти, являются онлайн-сервисы, такие как IPTV и видео по запросу, мобильные приложения, облачные вычисления. RLDRAM 3 характеризуется установившейся скоростью передачи данных до 2133 Мбит/с и самой низкой в отрасли латентностью при произвольном доступе – менее 10 нс. Напряжение питания ядра составляет 1,35 В, схем ввода/вывода – 1,2 В.

Компания планирует запустить массовое производство новой памяти во втором полугодии.