Samsung выпустила 32-Гб память "30-нм класса"

В ответ на анонс компанией Toshiba 32-нм флэш-микросхем южнокорейский производитель Samsung Electronics гордо заявил о начале поставок 32-Гб карт памяти moviNAND, которые являются лидерами по плотности в отрасли благодаря применению чипов, выпущенных по 30-нм техпроцессу. Новинки ориентированы на использование в телефонах высокого класса и другой мобильной потребительской технике.

По утверждению Samsung, это первые в отрасли 32-Гб устройства, использующие 30-нм NAND-микросхемы. Новинки вдвое превосходят по плотности карты памяти предыдущего поколения, которые используют 40-нм чипы. Новые устройства moviNAND включают восемь 32-Гбит 30-нм чипов и контроллер MMC. Помимо 32-Гб моделей, доступны также карты “30-нм класса” емкостью 4, 8 и 16 Гб.

Отметим, многие отраслевые аналитики оптимистично смотрят на перспективы карт памяти высокой емкости. Согласно прогнозу iSuppli, ожидается существенное увеличение объемов поставок NAND-чипов, используемых в картах памяти емкостью 32 Гб и выше. В период с 2009 по 2013 год отгрузки таких устройств увеличатся примерно в 8 раз.