Samsung анонсировала 40-нм 8 Гбит память Flex-OneNAND

Компания Samsung Electronics анонсировала начало производства гибридных чипов флэш-памяти Flex-OneNAND объемом 8 Гбит по 40-нм техпроцессу. По сути фирменная разработка Flex-OneNAND является объединением в одной микросхеме флэш-памяти с ячейками двух типов – одноуровневыми (single level cell, SLC) и многоуровневыми (multi-level cell, MLC). Как известно, основным преимуществом первого типа является большее быстродействие, тогда как второй характеризуется меньшей себестоимостью. По мнению Samsung, объединение флэш-памяти на базе SLC и MLC в одном устройстве представляет собой эффективное решение, позволяющее дизайнерам выбирать подсистему хранения с оптимальными характеристиками в каждом конкретном случае.

По данным производителя, переход на 40-нм технологию позволил улучшить производительность на 180% относительно предыдущего поколения Flex-OneNAND – 4 Гбит чипов, произведенных на базе 60-нм техпроцесса. Сравнивая свои чипы с «обычной MLC NAND флэш-памятью», Samsung говорит о трехкратном преимуществе в производительности в режиме чтения MLC-участка и четырехкратном – SLC-участка. В режиме записи MLC-участок показывает сопоставимую производительность, а SLC-участок втрое быстрее средних показателей MLC NAND.

Для упрощения интеграции чипов в систему Samsung поддерживает интерфейс встраиваемой памяти системного уровня, moviNAND (или eMMC). Это избавляет от необходимости применения дополнительного программного обеспечения от сторонних производителей. Компания отмечает также, что применение гибридной флэш-памяти позволяет сократить площадь, занимаемую на печатной плате, что особенно ценно для портативного мобильного оборудования. Samsung заявила, что расширила свое сотрудничество с разработчиками чипсетов, с тем чтобы совместно продвигать инновационные решения подсистем памяти.