Samsung успешно создала 3-нм чип на совершенно новых транзисторах: быстрее, экономичнее, плотнее

Компания Samsung сообщила о создании опытного 256-Мбит массива памяти SRAM с использованием 3-нм техпроцесса и совершенного новых транзисторов MBCFET. Образец позволил подтвердить характеристики будущего техпроцесса. Тем самым Samsung от теории шагнула к практике и можно рассчитывать, что 3-нм производство полупроводников она запустит уже в следующем году.

Samsung успешно создала 3-нм чип на совершенно новых транзисторах: быстрее, экономичнее, плотнее

Эволюция транзисторов. Источник изображения: Samsung

Следует сказать, что аббревиатура MBCFET (multi-bridge channel FET) в названии нового типа транзисторов — это зарегистрированная торговая марка Samsung. В широком смысле это так называемые транзисторы GAAFET с кольцевым или всеохватывающим затвором, когда канал или несколько каналов транзистора окружены затвором со всех четырёх сторон.

Эта концепция была представлена ещё в 1988 году и хорошо изучена теоретически, но повод перейти на эту структуру появился лишь сейчас, поскольку ставшие классическими FinFET-транзисторы с вертикальными рёбрами-плавниками перестают нормально работать с технологическими нормами менее 5 нм. В случае дальнейшего наращивания производительности и снижения потребления с одновременным уменьшением физических размеров транзисторов (в процессе снижения технологических норм) управлять транзисторными каналами становится сложнее. Поэтому увеличение площади контакта между затвором и каналом за счёт полного охвата канала является простым выходом из ситуации, который, что очень важно, позволяет выпускать новые транзисторы на прежнем оборудовании.

Samsung успешно создала 3-нм чип на совершенно новых транзисторах: быстрее, экономичнее, плотнее

Источник изображения: Samsung

Добавим, важным новшеством при производстве чипов на транзисторах MBCFET (GAAFET) станет возможность задавать ширину каналов-наностраниц, а также их число в составе каждого транзистора, для каждого отдельного случая. Например, для более производительной логики ширину наностраниц можно увеличить, а для блоков с низким потреблением уменьшить.

Более того, появляется возможность настолько гибкого проектирования, что даже в отдельно взятой шеститранзисторной элементарной ячейке SRAM часть транзисторов можно создать с широкими наностраницами-каналами, а часть с узкими. Именно это Samsung продемонстрировала при создании опытного 256-Мбит 3-нм массива SRAM. Измерения показали, что переход на ячейку со смешанными транзисторами на ровном месте снизил напряжение записи на 256 мВ.

Samsung успешно создала 3-нм чип на совершенно новых транзисторах: быстрее, экономичнее, плотнее

Управлять шириной наностраниц-каналов проще, чем добавлять новые рёбра в транзисторах FinFET. Источник изображения: Samsung

Наконец, компания подтвердила способность добиться новых уровней производительности и эффективности. Так, по сравнению с 7-нм техпроцессом 7LPP скорость работы 3-нм MBCFET транзисторов выросла до 30 % (при одинаковом уровне потребления и сложности), а при работе на одинаковых частотах и той же сложности потребление снизилось до 50 %. Рост плотности транзисторов в смешанной схеме (SRAM плюс логика) составил до 80 %.


Влад Кулиев, Supreme2.Ru

Коды для вставки в блог\форум




Интересные новости
Intel снижает цены на серверные процессоры, чтобы переманить клиентов AMDIntel снижает цены на серверные процессоры, чтобы переманить клиентов AMD
Представлен кулер DeepCool AK620 для мощных процессоровПредставлен кулер DeepCool AK620 для мощных процессоров
Huawei представила MateStation X — 28-дюймовый моноблок на процессорах AMD Ryzen 5000HHuawei представила MateStation X — 28-дюймовый моноблок на процессорах AMD Ryzen 5000H
Ещё один магазин опубликовал цены процессоров Alder Lake — не дороже $600Ещё один магазин опубликовал цены процессоров Alder Lake — не дороже $600
NVIDIA может выпустить GeForce RTX 2060 с 12 Гбайт видеопамяти в конце этого или начале следующего годаNVIDIA может выпустить GeForce RTX 2060 с 12 Гбайт видеопамяти в конце этого или начале следующего года
Блок рекламы


Похожие новости

Samsung начала массовое производство 90-Гц OLED-панелей для ноутбуковSamsung начала массовое производство 90-Гц OLED-панелей для ноутбуков
TSMC подтвердила задержку 3-нм техпроцесса на 3–4 месяцаTSMC подтвердила задержку 3-нм техпроцесса на 3–4 месяца
Samsung показала умный динамик с разгибающимся 12,4-дюймовым экраномSamsung показала умный динамик с разгибающимся 12,4-дюймовым экраном
Существующие образцы процессоров Alder Lake работают с DDR4-памятью быстрее, чем с DDR5Существующие образцы процессоров Alder Lake работают с DDR4-памятью быстрее, чем с DDR5
Samsung рассказала о работе над первыми в мире 200-слойными чипами NANDSamsung рассказала о работе над первыми в мире 200-слойными чипами NAND
Qualcomm отчиталась об успешном завершении второго квартала с выручкой более $8 млрдQualcomm отчиталась об успешном завершении второго квартала с выручкой более $8 млрд
Представлен интерьерный телевизор Samsung The Serif с диагональю 65 дюймовПредставлен интерьерный телевизор Samsung The Serif с диагональю 65 дюймов
Hyper представила модульную зарядку на GaN-транзисторах, которая может выдать до 1600 Вт с одной розеткиHyper представила модульную зарядку на GaN-транзисторах, которая может выдать до 1600 Вт с одной розетки
Samsung выпустит SSD с интерфейсом PCIe 5.0 во втором квартале 2022 года — выяснились первые характеристикиSamsung выпустит SSD с интерфейсом PCIe 5.0 во втором квартале 2022 года — выяснились первые характеристики
Рост цен на компоненты мог увеличить прибыль Samsung во втором квартале на 38 %Рост цен на компоненты мог увеличить прибыль Samsung во втором квартале на 38 %
Последние новости

Подгружаем последние новости