Toshiba аносировала 43-нм память SLC NAND

Компания Toshiba заявила об успешном освоении 43-нм КМОП-совместимого техпроцесса для выпуска чипов флэш-памяти типа NAND ещё в начале этого года. Первыми на рынок вышли микросхемы с многоуровневой архитектурой (MLC, multi-level cell). Теперь же японский производитель анонсирует выпуск целого ряда SLC-чипов (single-level cell) по 43-нм нормам.

Новая продуктовая линейка модулей флэш-памяти будет включать шестнадцать моделей ёмкостью от 512 Мбит до 64 Гбит. Первые четырнадцать из них (вплоть до 16 Гбит) представляют собой монолитные микросхемы, а 32- и 64-Гб модели основаны на 16-Гбит чипах TC58NVG4S2EBA00. Как отмечается, применение 43-нм техпроцесса позволило повысить плотность хранения информации в два раза по сравнению с 56-нм чипами. Кроме того, скоростные показатели микросхем с SLC-архитектурой примерно в 2,5 раза опережают MLC-чипы.

Список всех новинок приводится ниже. Массовое производство большинства из них стартует уже в первом квартале следующего года.