Тестовый 16-нм FinFET чип TSMC на ядре ARM V8: уже в 2013 году

Недавно во время ежегодного мероприятия TSMC детализировала свои планы по освоению передовых производственных норм. Как сообщается, компания будет использовать 64-битный чип ARM с набором команд V8 в качестве тестового при освоении 16-нм техпроцесса FinFET (с применением 3D-транзисторов), причём первый пробный чип достигнет стадии tape out уже в следующем году.

TSMC нацелена начать первое пробное производство чипов с соблюдением 16-нм FinFET норм в ноябре 2013 года

При этом в 2013 году TSMC собирается начать массовое 20-нм производство, которое по-прежнему будет полагаться на планарные структуры. Планы TSMC почти соответствуют стремлениями конкурирующего контрактного производителя чипов GlobalFoundries, который также собирается начать печать 20-нм чипов в следующем году, а 14-нм FinFET чипов — в 2014 году.

Как сообщает вице-президент TSMC по исследованиям и разработке Клифф Хоу (Cliff Hou), техпроцесс с применением FinFET-транзисторов будет обладать теми же показателями токов утечек, что и 20-нм нормы, однако при этом частота может быть поднята на 35% при неизменном энергопотреблении или же энергопотребление снижено на 35% при неизменной рабочей частоте. Само собой, переход на более тонкие производственные нормы позволит разметить и больше транзисторов на единице площади.

Использование процессора ARM для обкатки 16-ном норм предоставит клиентам TSMC возможность быстрее начать печать чипов на базе этой 64-битной архитектуры для использования в смартфонах и планшетах. Намеченные к массовому производству на 16-нм мощностях TSMC чипы достигнут стадии tape out к концу первой половины 2014 года.

Стоит отметить, что ARM также сотрудничает с GlobalFoundries над оптимизацией чипов под 14-нм FinFET нормы.