Samsung приступила к производству 96-слойной памяти 3D NAND

Samsung приступила к производству 96-слойной памяти 3D NAND

Пока конкуренты готовятся приступить к производству 96-слойной памяти 3D NAND или только-только завершают разработку подобной памяти, компания Samsung начинает массовый выпуск самых технологически развитых многослойных чипов флеш-памяти. Компания выпустила пресс-релиз, в котором сообщила о запуске в массовое производство 256-Гбит чипов 3D NAND TLC (в терминологии Samsung — V-NAND) пятого поколения.

Память пятого поколения включает как беспрецедентное пока количество слоёв — свыше 90, так и новый интерфейс Toggle DDR 4.0 микросхем памяти. Тем самым скорость обмена между памятью NAND и контроллером выросла на 40 %: с 800 Мбит/с до 1,4 Гбит/с. Важно, что в сравнении с 64-слойными предшественниками потребление интерфейса и чипа не увеличилось, поскольку одновременно снижено рабочее питание микросхем с 1,8 В до 1,2 В.

Samsung приступила к производству 96-слойной памяти 3D NAND

В данном анонсе Samsung следует обратить внимание на тот факт, что компания не обозначает новинки как 96-слойные решения, а только как 90+. Между тем каждый такой чип состоит из двух установленных друг на друга 48-слойных кристаллов 3D NAND. Куда делись недостающие слои? Скорее всего, в месте стыка двух кристаллов происходит разрушение слоёв или компания отключает эти слои в связи с высоким уровнем отказа ячеек в них.

Samsung приступила к производству 96-слойной памяти 3D NAND

96-слойная 3D NAND может быть составлена из двух 48-слойных кристаллов 3D NAND (International Memory Workshop 2018)

Другой интересный момент в анонсе — это достаточно маленькая ёмкость 90-слойных чипов — всего 256 Гбит. Во-первых, это уменьшает площадь кристалла и позволяет с каждой кремниевой пластины получить больше микросхем. Во-вторых, ячейки памяти получаются достаточно большими по площади и, следовательно, становятся более устойчивыми к износу. Наконец, большая площадь ячеек позволяет улучшить параметры записи и чтения в ячейках. Так, продолжительность операций записи в ячейку в 96-слойной памяти сократилась на 30 % до 500 мкс, а скорость чтения «значительно» улучшила свои параметры и ускорилась до 50 мкс.

Samsung приступила к производству 96-слойной памяти 3D NAND

Помимо прочего Samsung улучшила технологию производства 3D NAND. Во-первых, за счёт улучшений в процесс депонирования (внесение примесей) при производстве слоёв производительность процесса ускорилась на 30 %. Иначе говоря, выход продукции за единицу времени увеличился почти на треть. Во-вторых, компания смогла на 20 % уменьшить толщину слоёв без возникновения перекрёстных помех. Это означает, что сокращены токовые маршруты, длины которых влияют как на потребление, так и на внутренние процессы по обслуживанию ячеек (по обработке данных внутри памяти).

Несмотря на все достижения, равным которым в индустрии нет, компания Samsung не собирается почивать на лаврах. Вскоре Samsung в пятом поколении 3D NAND обещает представить как 1-Тбит микросхемы памяти, так и память с ячейкой QLC, которая будет хранить четыре бита данных.


Олег Писарев, Supreme2.Ru


!

Если для Вас конкретно эта новость оказалась важной или интересной - пожалуйста, поделитесь ею в своей любимой социальной сети с помощью кнопок, расположенных под этим текстом. Это поможет нам в будущем делать более качественную подборку материалов, исходя из Ваших потребностей\интересов.




Коды для вставки в блог\форум

blog comments powered by Disqus


Вспомним другие новости из этого раздела?


Hard

←+Ctrl+→

Интересные новости
Китай приступит к 14-нм массовому производству до середины 2019 годаКитай приступит к 14-нм массовому производству до середины 2019 года
MSI оснастит новый 14-дюймовый ультрабук видеокартой GeForce MX250MSI оснастит новый 14-дюймовый ультрабук видеокартой GeForce MX250
Canon представила полнокадровую беззеркальную камеру EOS RPCanon представила полнокадровую беззеркальную камеру EOS RP
AMD раскроет некоторые подробности об архитектуре Zen 2 в рамках GDC 2019AMD раскроет некоторые подробности об архитектуре Zen 2 в рамках GDC 2019
EVGA и Palit готовят компактные версии GeForce GTX 1660 TiEVGA и Palit готовят компактные версии GeForce GTX 1660 Ti
Блок рекламы


Похожие новости

Китай приступит к 14-нм массовому производству до середины 2019 годаКитай приступит к 14-нм массовому производству до середины 2019 года
Samsung представила память eUFS ёмкостью 1 ТБ для Galaxy S10 PlusSamsung представила память eUFS ёмкостью 1 ТБ для Galaxy S10 Plus
SK Hynix: DDR5 уже готова, переходим к разработке DDR6-памятиSK Hynix: DDR5 уже готова, переходим к разработке DDR6-памяти
Тайваньская Macronix рассчитывает войти в клуб производителей 96-слойной 3D NANDТайваньская Macronix рассчитывает войти в клуб производителей 96-слойной 3D NAND
Samsung первым перенес в ноутбуки технологию 4KSamsung первым перенес в ноутбуки технологию 4K
Новые комплекты DDR4-памяти G.SKILL на 64 Гбайт работают на частоте 4266 МГцНовые комплекты DDR4-памяти G.SKILL на 64 Гбайт работают на частоте 4266 МГц
Планшет-гигант Samsung Galaxy View 2 «засветился» в бенчмаркеПланшет-гигант Samsung Galaxy View 2 «засветился» в бенчмарке
Samsung представила 15,6-дюймовый 4K OLED-дисплей для ноутбуковSamsung представила 15,6-дюймовый 4K OLED-дисплей для ноутбуков
Samsung представила SSD-накопители 970 EVO Plus со скоростью чтения 3500 МБ/сSamsung представила SSD-накопители 970 EVO Plus со скоростью чтения 3500 МБ/с
Samsung через два года выпустит чипы, изготовленные по 3-нм техпроцессуSamsung через два года выпустит чипы, изготовленные по 3-нм техпроцессу
Последние новости

Подгружаем последние новости