Samsung приступила к производству 96-слойной памяти 3D NAND

Samsung приступила к производству 96-слойной памяти 3D NAND

Пока конкуренты готовятся приступить к производству 96-слойной памяти 3D NAND или только-только завершают разработку подобной памяти, компания Samsung начинает массовый выпуск самых технологически развитых многослойных чипов флеш-памяти. Компания выпустила пресс-релиз, в котором сообщила о запуске в массовое производство 256-Гбит чипов 3D NAND TLC (в терминологии Samsung — V-NAND) пятого поколения.

Память пятого поколения включает как беспрецедентное пока количество слоёв — свыше 90, так и новый интерфейс Toggle DDR 4.0 микросхем памяти. Тем самым скорость обмена между памятью NAND и контроллером выросла на 40 %: с 800 Мбит/с до 1,4 Гбит/с. Важно, что в сравнении с 64-слойными предшественниками потребление интерфейса и чипа не увеличилось, поскольку одновременно снижено рабочее питание микросхем с 1,8 В до 1,2 В.

Samsung приступила к производству 96-слойной памяти 3D NAND

В данном анонсе Samsung следует обратить внимание на тот факт, что компания не обозначает новинки как 96-слойные решения, а только как 90+. Между тем каждый такой чип состоит из двух установленных друг на друга 48-слойных кристаллов 3D NAND. Куда делись недостающие слои? Скорее всего, в месте стыка двух кристаллов происходит разрушение слоёв или компания отключает эти слои в связи с высоким уровнем отказа ячеек в них.

Samsung приступила к производству 96-слойной памяти 3D NAND

96-слойная 3D NAND может быть составлена из двух 48-слойных кристаллов 3D NAND (International Memory Workshop 2018)

Другой интересный момент в анонсе — это достаточно маленькая ёмкость 90-слойных чипов — всего 256 Гбит. Во-первых, это уменьшает площадь кристалла и позволяет с каждой кремниевой пластины получить больше микросхем. Во-вторых, ячейки памяти получаются достаточно большими по площади и, следовательно, становятся более устойчивыми к износу. Наконец, большая площадь ячеек позволяет улучшить параметры записи и чтения в ячейках. Так, продолжительность операций записи в ячейку в 96-слойной памяти сократилась на 30 % до 500 мкс, а скорость чтения «значительно» улучшила свои параметры и ускорилась до 50 мкс.

Samsung приступила к производству 96-слойной памяти 3D NAND

Помимо прочего Samsung улучшила технологию производства 3D NAND. Во-первых, за счёт улучшений в процесс депонирования (внесение примесей) при производстве слоёв производительность процесса ускорилась на 30 %. Иначе говоря, выход продукции за единицу времени увеличился почти на треть. Во-вторых, компания смогла на 20 % уменьшить толщину слоёв без возникновения перекрёстных помех. Это означает, что сокращены токовые маршруты, длины которых влияют как на потребление, так и на внутренние процессы по обслуживанию ячеек (по обработке данных внутри памяти).

Несмотря на все достижения, равным которым в индустрии нет, компания Samsung не собирается почивать на лаврах. Вскоре Samsung в пятом поколении 3D NAND обещает представить как 1-Тбит микросхемы памяти, так и память с ячейкой QLC, которая будет хранить четыре бита данных.


Олег Писарев, Supreme2.Ru


!

Если для Вас конкретно эта новость оказалась важной или интересной - пожалуйста, поделитесь ею в своей любимой социальной сети с помощью кнопок, расположенных под этим текстом. Это поможет нам в будущем делать более качественную подборку материалов, исходя из Ваших потребностей\интересов.




Коды для вставки в блог\форум

blog comments powered by Disqus


Вспомним другие новости из этого раздела?


Hard

←+Ctrl+→

Интересные новости
Исправление уязвимости Intel ZombieLoad снижает производительность процессоровИсправление уязвимости Intel ZombieLoad снижает производительность процессоров
450 долларов: первая карта microSD ёмкостью 1 Тбайт поступила в продажу450 долларов: первая карта microSD ёмкостью 1 Тбайт поступила в продажу
ASRock представила новые материнские платы в семействе Z390 Phantom GamingASRock представила новые материнские платы в семействе Z390 Phantom Gaming
Новый рекорд разгона памяти DDR4: взята отметка в 5700 МГцНовый рекорд разгона памяти DDR4: взята отметка в 5700 МГц
Серию KLEVV CRAS X RGB пополнили комплекты модулей памяти с частотой до 4266 МГцСерию KLEVV CRAS X RGB пополнили комплекты модулей памяти с частотой до 4266 МГц
Блок рекламы


Похожие новости

Toshiba и Western Digital совместно инвестируют в завод по выпуску флеш-памятиToshiba и Western Digital совместно инвестируют в завод по выпуску флеш-памяти
Новый рекорд разгона памяти DDR4: взята отметка в 5700 МГцНовый рекорд разгона памяти DDR4: взята отметка в 5700 МГц
Серию KLEVV CRAS X RGB пополнили комплекты модулей памяти с частотой до 4266 МГцСерию KLEVV CRAS X RGB пополнили комплекты модулей памяти с частотой до 4266 МГц
Apacer NOX RGB DDR4: модули памяти с большими радиаторами и RGB-подсветкойApacer NOX RGB DDR4: модули памяти с большими радиаторами и RGB-подсветкой
Inno3D Gaming OC: модули памяти DDR4 с эффектной подсветкойInno3D Gaming OC: модули памяти DDR4 с эффектной подсветкой
Samsung представила 43-дюймовый вертикальный телевизор SeroSamsung представила 43-дюймовый вертикальный телевизор Sero
Теперь 4 Тбайт: готовится новый накопитель WD Blue 3D NAND SATA SSDТеперь 4 Тбайт: готовится новый накопитель WD Blue 3D NAND SATA SSD
Новые комплекты памяти HyperX Predator DDR4 работают на частоте до 4600 МГцНовые комплекты памяти HyperX Predator DDR4 работают на частоте до 4600 МГц
Модули памяти XPG Spectrix D60G DDR4 оснащены оригинальной RGB-подсветкойМодули памяти XPG Spectrix D60G DDR4 оснащены оригинальной RGB-подсветкой
Samsung может начать производство GPU для дискретных видеокарт IntelSamsung может начать производство GPU для дискретных видеокарт Intel
Последние новости

Подгружаем последние новости