Samsung приступила к производству 96-слойной памяти 3D NAND

Samsung приступила к производству 96-слойной памяти 3D NAND

Пока конкуренты готовятся приступить к производству 96-слойной памяти 3D NAND или только-только завершают разработку подобной памяти, компания Samsung начинает массовый выпуск самых технологически развитых многослойных чипов флеш-памяти. Компания выпустила пресс-релиз, в котором сообщила о запуске в массовое производство 256-Гбит чипов 3D NAND TLC (в терминологии Samsung — V-NAND) пятого поколения.

Память пятого поколения включает как беспрецедентное пока количество слоёв — свыше 90, так и новый интерфейс Toggle DDR 4.0 микросхем памяти. Тем самым скорость обмена между памятью NAND и контроллером выросла на 40 %: с 800 Мбит/с до 1,4 Гбит/с. Важно, что в сравнении с 64-слойными предшественниками потребление интерфейса и чипа не увеличилось, поскольку одновременно снижено рабочее питание микросхем с 1,8 В до 1,2 В.

Samsung приступила к производству 96-слойной памяти 3D NAND

В данном анонсе Samsung следует обратить внимание на тот факт, что компания не обозначает новинки как 96-слойные решения, а только как 90+. Между тем каждый такой чип состоит из двух установленных друг на друга 48-слойных кристаллов 3D NAND. Куда делись недостающие слои? Скорее всего, в месте стыка двух кристаллов происходит разрушение слоёв или компания отключает эти слои в связи с высоким уровнем отказа ячеек в них.

Samsung приступила к производству 96-слойной памяти 3D NAND

96-слойная 3D NAND может быть составлена из двух 48-слойных кристаллов 3D NAND (International Memory Workshop 2018)

Другой интересный момент в анонсе — это достаточно маленькая ёмкость 90-слойных чипов — всего 256 Гбит. Во-первых, это уменьшает площадь кристалла и позволяет с каждой кремниевой пластины получить больше микросхем. Во-вторых, ячейки памяти получаются достаточно большими по площади и, следовательно, становятся более устойчивыми к износу. Наконец, большая площадь ячеек позволяет улучшить параметры записи и чтения в ячейках. Так, продолжительность операций записи в ячейку в 96-слойной памяти сократилась на 30 % до 500 мкс, а скорость чтения «значительно» улучшила свои параметры и ускорилась до 50 мкс.

Samsung приступила к производству 96-слойной памяти 3D NAND

Помимо прочего Samsung улучшила технологию производства 3D NAND. Во-первых, за счёт улучшений в процесс депонирования (внесение примесей) при производстве слоёв производительность процесса ускорилась на 30 %. Иначе говоря, выход продукции за единицу времени увеличился почти на треть. Во-вторых, компания смогла на 20 % уменьшить толщину слоёв без возникновения перекрёстных помех. Это означает, что сокращены токовые маршруты, длины которых влияют как на потребление, так и на внутренние процессы по обслуживанию ячеек (по обработке данных внутри памяти).

Несмотря на все достижения, равным которым в индустрии нет, компания Samsung не собирается почивать на лаврах. Вскоре Samsung в пятом поколении 3D NAND обещает представить как 1-Тбит микросхемы памяти, так и память с ячейкой QLC, которая будет хранить четыре бита данных.


Олег Писарев, Supreme2.Ru


!

Если для Вас конкретно эта новость оказалась важной или интересной - пожалуйста, поделитесь ею в своей любимой социальной сети с помощью кнопок, расположенных под этим текстом. Это поможет нам в будущем делать более качественную подборку материалов, исходя из Ваших потребностей\интересов.




Коды для вставки в блог\форум

blog comments powered by Disqus


Вспомним другие новости из этого раздела?


Hard

←+Ctrl+→

Интересные новости
ASRock готовит релиз матплаты Z390 Phantom Gaming 9ASRock готовит релиз матплаты Z390 Phantom Gaming 9
Core i9-9900K протестирован в Cinebench R15 на частоте 5 ГГцCore i9-9900K протестирован в Cinebench R15 на частоте 5 ГГц
В серию блоков питания Xilence Performance X вошли новинки высокой мощностиВ серию блоков питания Xilence Performance X вошли новинки высокой мощности
J.P. Morgan: дефицит чипов Intel может снизить продажи ПК в последнем квартале на 7 %J.P. Morgan: дефицит чипов Intel может снизить продажи ПК в последнем квартале на 7 %
Адаптер SilverStone ECM23 позволит установить SSD-модуль M.2 в слот PCIeАдаптер SilverStone ECM23 позволит установить SSD-модуль M.2 в слот PCIe
Блок рекламы


Похожие новости

DRAMeXchange: дефицит процессоров Intel влияет на рынок оперативной памятиDRAMeXchange: дефицит процессоров Intel влияет на рынок оперативной памяти
Samsung и SK Hynix снижают темпы наращивания производства памятиSamsung и SK Hynix снижают темпы наращивания производства памяти
Sony SF-G Series Tough: самые прочные в мире карты памяти SDSony SF-G Series Tough: самые прочные в мире карты памяти SD
Micron: производство QLC 3D NAND сопровождается высоким уровнем бракаMicron: производство QLC 3D NAND сопровождается высоким уровнем брака
Samsung C49J890: 49-дюймовый монитор с частотой обновления 144 ГцSamsung C49J890: 49-дюймовый монитор с частотой обновления 144 Гц
Через три года можно ждать появления 512-слойной 3D NAND и 512-Тбайт 2,5? SSDЧерез три года можно ждать появления 512-слойной 3D NAND и 512-Тбайт 2,5? SSD
Новейшие телевизоры Samsung QLED и Premium UHD получили сертификат HDR10+Новейшие телевизоры Samsung QLED и Premium UHD получили сертификат HDR10+
Samsung CJG5: изогнутые мониторы для игровых системSamsung CJG5: изогнутые мониторы для игровых систем
Карты памяти HyperX Gaming формата microSD имеют ёмкость до 256 ГбайтКарты памяти HyperX Gaming формата microSD имеют ёмкость до 256 Гбайт
В четвёртом квартале продукция на основе памяти DRAM дорожать не будетВ четвёртом квартале продукция на основе памяти DRAM дорожать не будет
Последние новости

Подгружаем последние новости