SOI Consortium: теперь с NVIDIA

Интересная новость из Калифорнии, где в эти дни проходит крупнейшая международная конференция полупроводниковой индустрии Semicon West: после официального заявления NVIDIA число компаний, входящих в консорциум SOI Industry Consortium достигло 23.

Технология SOI (Silicon-on-insulator), или "кремний на изоляторе", известна как минимум десятилетие – именно в 1998 году компания IBM анонсировала первое практическое воплощение принципа формирования полупроводникового чипа, при котором вместо традиционной кремниевой подложки используется специальная многослойная пластина со структурой "кремний-изолятор-кремний", где транзисторы изолированы от подложки благодаря слою диоксида кремния (реже используется слой сапфира). Применение технологии SOI – один из практичных рациональных способов уменьшения токов утечки, достижения меньшего потребления энергии, и, как следствие, повышения быстродействия чипа.

Для более энергичного продвижения технологии SOI в 2007 году был сформирован SOI Consortium, включавший до вчерашнего дня компании AMD, Applied Materials, ARM, Cadence Design Systems, CEA-L?ti, Chartered Semiconductor Manufacturing, Freescale Semiconductor, IBM, Innovative Silicon, KLA-Tencor, Lam Research, Magma Design, Samsung, Semico, Soitec, SEH Europe, STMicroelectronics, Synopsys, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), Tyndall Institute, UCL и United Microelectronics Corporation (UMC). Теперь этот почтенный список пополнился компанией NVIDIA.

О применении технологии SOI мы чаще всего слышим из новостей о новых процессорах компании AMD, использующей в производстве техпроцесс, разработанный совместно с IBM. Вполне очевидно, что NVIDIA, являющаяся fabless-компанией, будет принимать участие в судьбе технологии SOI сообща со своими производственными партнёрами, TSMC, UMC.

Также стоит отметить, что в настоящее время технология SOI сформировала свой уникальный рынок продуктов для производства чипов. Так, в рамках той же конференции французская компания Soitec SA объявила о начале поставок нового поколения SOI-подложек, с ультратонким верхним слоем кремния и ультра тонким слоем углублённого оксида (buried oxide, BOX), дающих разработчикам чипов возможность выбирать подложки для работы с частично или полностью обеднёнными слоями, в том числе, для работы с многозатворными транзисторными архитектурами. Новое поколение подложек базируется на техпроцессе Smart Cut и выполняется с использованием 300 мм технологии Unibond XUT+. Верхний кремниевый слой таких пластин имеет толщину от всего 20 нм до 110 нм, при этом слой BOX может быть толщиной всего 10 нм.

Ожидается, что новое поколение пластин будет использоваться не только с ныне распространённым 45 нм техпроцессом, но также пригодится для выпуска чипов с нормами 32 нм техпроцесса.