Samsung создала первый 50-нм чип DRAM

Компания Samsung сегодня сообщила о том, что ей удалось создать первый DDR2 DRAM чип по 50-нм технологическому процессу. Новый 1-Гбитный чип DRAM объединяет в себе современные технологии трехмерных транзисторов (three-dimensional transistor, в литературе еще встречается неплоский транзистор) и многослойных диэлектриков. В новом чипе используются транзисторы, выполненные по селективно-эпитаксиальной технологии. Такой трехмерный транзистор имеет более широкий электронный канал, благодаря чему снижается энергопотребление, а также значительно повышается быстродействие. Многослойный диэлектрик позволяет добиться большей устойчивости характеристик транзистора, а также увеличивает время обновления ячеек памяти.
К тому же в новых чипах применяется "фирменная" технология Samsung RCAT (Recess Channel Array Transistor), благодаря которой увеличивается время обновления ячеек памяти в два раза и без которой, по заявлению разработчиков, не удалось бы перевести чип на более тонкий техпроцесс.
Переход на 50-нм техпроцесс стал логическим продолжением предыдущих разработок (70-нм и 60-нм). Скорее всего, массовое производство 50-нм DRAM памяти начнется уже в 2008 году. По заявлению Samsung, новая технология станет стандартом для чипов памяти ближайшего будущего. Компания считает, что рынок DRAM памяти, сделанной по новой технологии достигнет более 55 млрд. долларов до 2011 года.