Samsung выпустила 30-нм 4-Гбит чипы LPDDR2

Требования, предъявляемые производителями смартфонов к комплектующим, постоянно растут. Желая удовлетворить спрос, компания Samsung Electronics разработала чипы оперативной памяти типа LPDDR2 ёмкостью 4 Гбит.

Новые микросхемы нацелены на смартфоны среднего уровня. Производитель уверен, что в 2012 году память именно такого объёма станет массовой в отрасли мобильных устройств связи. Чипы спроектированы на основе 30-нм техпроцесса и способны функционировать на скорости до 1,6 Гбит/с. При объединении микросхем можно обеспечить пропускную способность 6,4 Гбит/с. Напряжение питания при этом составляет 1,2 В.

Samsung планирует использовать данные чипы в своих смартфонах и, возможно, планшетах.