Elpida применила технологию HKMG в 2-Гбит LPDDR2-чипах

Компании Elpida Memory первой в мире удалось разработать двухгигабитные чипы DDR2 Mobile RAM (LPDDR2), выполненные с использованием техпроцесса 40-нм класса. Это стало возможным благодаря применению технологии металлических затворов и high-k-диэлектриков (HKMG, high-k metal gate).

HKMG использует диэлектрическую плёнку с высокой непроницаемостью в затворе транзистора, что позволяет уменьшить токи утечки и улучшить эффективность работы транзистора. Также для этой технологии требуется использование в затворе электродов, выполненных из металла. Некоторые производители начали внедрение HKMG в производстве DRAM, но столкнулись с проблемой необходимости жесткой температурной обработки, а также усложнением схемных решений. Компании Elpida удалось обойти эти преграды.

Благодаря применению HKMG память LPDDR2 отличается в 1,7 раз более высоким током при работе в открытом режиме и в 100 раз меньшими токами утечки в закрытом состоянии транзистора, что существенно уменьшает потребляемую мощность в режиме бездействия.

Образцы новых продуктов поступят на рынок в 2011 финансовом году. Также Elpida планирует применить HKMG в 30- и 25-нм техпроцессах.