Samsung показала готовый DRAM-модуль памяти DDR4

Компания Samsung Electronics официальным пресс-релизом уведомила общественность об успешном завершении разработок по созданию первого в индустрии DRAM-модуля памяти DDR4. Напомним, что творцами дебютных DRAM-модулей памяти DDR (в 1997 году), DDR2 (в 2001 году) и DDR3 (в 2005 году) также были сотрудники именно этого южно-корейского электронного гиганта.

По заявлениям производителя, его детище изготовлено по 30-нм техпроцессу, обладает объёмом 2 Гбайт, функционирует на частоте 2133 МГц и характеризуется напряжением питания 1,2 В. При этом особо отмечается, что в изделии реализована прогрессивная технология Pseudo Open Drain (POD) Technology, благодаря которой новинка потребляет на 40% меньше энергии, чем модули памяти DDR3 с напряжением питания 1,5 В.

В заключение сообщим, что Samsung Electronics планирует тесно сотрудничать со многими изготовителями серверов с целью помочь совету JEDEC окончательно утвердить спецификации для стандарта DDR4 во второй половине текущего года.