Samsung выходит вперед с 20-нм флеш-памятью MLC NAND

Компания Samsung Electronics, являющаяся одним из крупнейших производителей интегральных микросхем флеш-памяти, объявила о выпуске первой партии чипов MLC NAND, изготовленных с использованием 20-нм технологического процесса.

В пресс-релизе компании сообщается, что 20-нм флеш-память NAND, основанная на многоуровневых ячейках (MLC), в полтора раза превосходит по производительности аналогичные чипы, изготовленные по 30-нм техпроцессу.

В частности, карта памяти SD объемом 8 Гб, изготовленная с использованием 20-нм технологии, на 30% превосходит по скорости 30-нм флеш-память NAND. Новый чип соответствует рейтингу скорости Class 10 (скорость чтения 20 Мб/с, скорость записи 10 Мб/с). Компания планирует в дальнейшем наладить производство 20-нм флеш-памяти емкостью от 4 до 64 Гб.

В настоящее время Samsung рассылает промышленные образцы карт памяти SD, основанные на 20-нм 32 Гбит флеш-памяти MLC NAND, компаниям, проявившим заинтересованность в их поставке, с тем, чтобы уже в этом году начать массовое производство.