Samsung: первые в отрасли 60-нм DDR2-чипы емкостью 2 Гбит

В марте этого года компания Samsung Electronics объявила о начале первого в отрасли массового производства гигабитных чипов памяти типа DDR2 DRAM по 60-нм проектным нормам. И вот, спустя полгода крупный игрок ИТ-отрасли сообщил о готовности взять новую планку - Samsung выпустила первые образцы микросхем DDR2 DRAM емкостью 2 Гбит с использованием 60-нм технологического процесса, а к концу 2007 года корейский разработчик обещает наладить массовое производство новых чипов.

По сравнению с 2-Гбит чипами, произведенными по 80-нм технологии, новые 60-нм чипы отличаются увеличенной на 20% производительностью. Более того, эффективность производства при использовании 60-нм норм возрастет до 40%. Благодаря увеличенной емкости микросхем, для набора нужного объема памяти требуется меньше компонентов. Согласно Samsung, модули ОЗУ, использующие новые 2-Гбит чипы, будут потреблять на 30% меньшую мощность по сравнению с модулями на основе гигабитных микросхем.

2-Гбит чипы Samsung могут быть использованы в 8-Гб модулях FB-DIMM, 8-Гб модулях регистровой памяти RDIMM, 4-Гб модулях UDIMM и 4-Гб модулях SO-DIMM.

В настоящее время DDR2-чипы Samsung, выпускаемые по 60-нм технологии, представлены моделями емкостью 512 Мбит и 1 Гбит.