Intel: встраиваемая NOR-память переходит на 65 нм

Несмотря на то, что сегодня ведутся активные разработки новых перспективных типов памяти, призванных заменить традиционную флэш-память, компания Intel продолжает совершенствовать технологии производства NOR-микросхем для встраиваемых решений. Крупнейший игрок полупроводниковой промышленности заявил о своем намерении выпускать микросхемы встраиваемой NOR-памяти по 65-нм техпроцессу.

Согласно представителям компании Intel, переход на новые проектные нормы позволит достичь еще лучшего соотношения цена/производительность, а также существенно увеличит жизненный цикл микросхем памяти. Ожидается, что ознакомительные образцы 65-нм продукции станут доступными партнерам Intel в первой половине 2008 года.