ARM: технология SOI для 45-нм чипов уменьшает энергопотребление до 40%

Компания ARM заявила, что изготовленные по технологии кремний-на-изоляторе (silicon-on-insulator, SOI) 45-нм чипы позволяют уменьшить энергопотребление до 40% по сравнению с 45-нм микросхемами, изготовленными по более распространенным в настоящее время дешевым технологиям (то есть, фактически CMOS-технологии). Результаты соответствующих тестов были представлены на конференции IEEE SOI, прошедшей в Калифорнии.

Для изготовления тестового SOI-чипа ARM сотрудничала с компанией Soitec. В результате была получена SOI-реализация процессора ARM 1176, что позволило провести прямое сравнение его характеристик с распространенной версией, выпускаемой на базе CMOS-технологии. Полученные результаты показали, что применение более совершенного способа производства позволяет до 40% улучшить показатели энергосбережения и на 7% сократить площадь, занимаемую проводящими дорожками. Было обнаружено также, что SOI-реализация имеет на 20% больший потенциал по рабочей частоте, причем даже в режиме максимальной производительности она продолжает обеспечивать 30% выигрыш в плане энергопотребления.

При проектировании чипа были использованы стандартные библиотеки SOI-компонентов ARM и IBM. Последняя положительно оценила результаты тестов ARM и Soitec, и выразила надежду, что они убедят производителей в перспективности адаптации SOI-технологий в сегменте цифровой пользовательской электроники.