Intel и Micron разработали 34-нм флэш-память с 3 битами на ячейку

Компании Intel и Micron Technology анонсировали совместную разработку новой технологии мультиуровневых ячеек (MLC) памяти NAND с тремя битами на каждую ячейку (3-bit-per-cell, 3bpc) в рамках усовершенствования 34-нм техпроцесса. Соответствующие чипы будут использоваться в таких устройствах, как флэш-карты и USB-носители. Проект воплощает совместное предприятие IM Flash Technologies, которое будет выпускать, как сказано в пресс-релизе, самые компактные и рентабельные 32-гигабитные электронные компоненты из доступных в индустрии на сегодняшний день. Предоставляющие такой объем памяти чипы имеют площадь кристалла 126 кв. мм. Массовое производство должно начаться в четвертом квартале 2009 года.

По словам вице-президента группы Micron Брайана Ширли (Brian Shirley), "Технология 3bpc NAND является важной частью нашей стратегии. Мы также продолжим продвижение по пути уменьшения размеров микросхем NAND". Кроме того, Ширли заявил, что компания намерена до конца этого года представить 2Х-нм технологию. В свою очередь, вице-президент Intel и руководитель подразделения Intel NAND Solutions Group выразил уверенность в дальнейшем прогрессе: "Этот шаг является очередным этапом в продвижении к 2Х-нм техпроцессу, который поможет снизить стоимость и увеличить возможности наших решений на основе NAND".