Intel масштабировала 193-нм литографию для 15-нм норм

Компания Intel заявила о том, что ей удалось – по меньшей мере, в лабораторных условиях, – использовать литографические инструменты "глубокого ультрафиолета" (DUV, Deep Ultraviolet) с длиной волны 193 нм для 15-нм техпроцесса. Это достижение является результатом дальнейшего развития техники иммерсионной технологии и различных форм двойного сканирования. Таким образом, представления о предельных возможностях 193-нм литографии вновь пересматриваются, а вместе с этим, в очередной раз, может быть отложен вопрос о переходе на использование литографических процессов с применением сверхглубокого ультрафиолета (EUV, Extreme Ultraviolet), с длиной волны порядка 13 нм, где еще существует целый ряд нерешенных вопросов.

На сегодняшний день Intel использует «сухую» 193-нм литографию для производства по 45-нм нормам. К концу года, вместе с началом использования 32-нм техпроцесса, компания планирует начать использовать первые иммерсионные инструменты. Как заявлено, при этом будут использоваться 193-нм иммерсионные сканеры производства Nikon. По словам Майка Мэйберри (Mike Mayberry), директора отдела исследования компонент и вице-президента группы производства и технологий, возможность использования 193-нм литографии с однократной экспозицией ограничена 35-нм нормами, поэтому для производства по 22-нм техпроцессу компания планирует применять одну из форм двойного экспонирования, а также, возможно, элементы вычислительной литографии.

Мэйберри отметил, что пока применение 193-нм литографии для 15-нм техпроцесса находится на стадии исследований, и не обеспечивает возможности формирования всех необходимых компонентов чипа. Наряду с этим Intel в сотрудничестве с Nikon продолжает работать над EUV-технологиями для освоения 16-нм норм. На текущем этапе развития возможность предварительных версий EUV-оборудования ограничивается способностью формирования некоторых элементов схем в масштабе до 24-нм.

«Клуб производителей» под предводительством компании IBM также рассчитывает расширить возможности 193-нм иммерсионных технологий до 22-нм норм, а возможно, и менее, за счет использования элементов вычислительной литографии.