Hynix начинает разработку 54-нм мобильной DDR2-памяти

Компания Hynix Semiconductor сообщила о ведении работ над созданием 54-нм интегральных микросхем оперативной памяти стандарта DDR2 и объемом 1 Гбит. В данном случае речь идет об устройствах, применяемых в мобильной электронике, но с акцентом на высокую производительность. Согласно официальным сведениям, микросхемы планируется запустить в серийное изготовление во второй половине 2009 года.

Из характеристик устройств известно следующее: изготовленные по 54-нм техпроцессу микросхемы функционируют на частоте 1066 МГц. Это, в совокупности с 32-разрядным I/O-интерфейсом, позволяет добиться пропускной способности в 4,26 Гб/с в случае одноканальной организации системы оперативной памяти, и 8,52 Гб/с в случае двухканальных систем.

Область применения микросхем – мобильная электроника – диктует и свои требования к устройствам. Это, в первую очередь, экономичная работа. Разработчики утверждают, что их новинки потребляют вдвое меньшую мощность, по сравнению с DDR2-память, и оказываются на треть экономичнее их DDR2-предшественников.

Полностью соответствуя стандарту JEDEC новые микросхемы Hynix позиционируются в качестве решений для MID-аппаратов, нетбуков, высокопроизводительных смартфонов. Именно в этом случае одновременно важны как высокая производительность подсистемы памяти, так и экономичная работа микросхем памяти.