Samsung выпустила 50-нм DDR3-модули ёмкостью 16 Гб

Анонсированные ещё в сентябре прошлого года 50-нм двухгигабитные микросхемы памяти, наконец, нашли применение в готовых к использованию конечными потребителями устройствах – RIMM-модулях ёмкостью 8 и 16 Гб. Новые модули уже отгружаются заказчикам.

Новинки отличаются целым рядом особенностей, что выгодно выделяет их на фоне решений конкурентов. По заявлению производителя, новые модули памяти являются самыми компактными среди устройств такого класса. Кроме того, они работают при напряжении питания всего 1,35 В, что позволяет экономить примерно 20% электроэнергии по сравнению с моделями с напряжением 1,5 В. Новинки характеризуются производительностью 1066 мегабит в секунду. С их помощью можно оснастить двухпроцессорную серверную систему ОЗУ объёмом 192 Гб.

Для достижения максимальной ёмкости 16 Гб используется технология двухкристалльной упаковки (dual-die package). При стандартной компоновке можно создавать модули ёмкостью до 8 Гб.

Согласно исследованиям IDC, в 2009 году доля DDR3 на глобальном рынке DRAM-памяти достигнет 29% (среди гигабитных микросхем). Далее этот сегмент будет активно развиваться и к 2011 году DDR3 уже будет занимать на рынке 75%. Двухгигабитные чипы DDR3 в текущем году займут всего 3%, но уже в 2011 аналитики ожидают увеличение их доли до 33%.