Samsung начала серийный выпуск памяти GDDR5 по 50-нм технологии

Пресс-служба компании Samsung Electronics официально объявила о начале массового выпуска чипов памяти GDDR5 с соблюдением 50-нм технологических норм, что, по заявлениям разработчиков, позволит удовлетворить растущий спрос на высокопроизводительные устройства видеопамяти для ПК, графических карт и игровых консолей.

Как сообщается, новая память Samsung поддерживает максимальную скорость передачи данных 7,0 Гбит/с и характеризуется максимальной полосой пропускания 28 Гб/с (к слову, этот показатель у предыдущей памяти GDDR4 от Samsung составлял 12,8 Гб/с). При этом отмечается, что благодаря сверхвысокой скорости память GDDR5 поддерживает самые современные форматы хранения данных (такие, например, как Blu-ray и Full HD).

В отличие от стандарта GDDR4, в котором для обработки данных и графики применяется технология синхронизации стробирующих и тактовых импульсов, значительное увеличение скорости в GDDR5 достигается благодаря использованию независимого задающего генератора, для которого не требуется синхронизация операций чтения/записи с тактовыми импульсами.

Внедрение 50-нм технологии, по оценкам компании, позволит повысить эффективность производства на 100% в сравнении с 60-нм техпроцессом. Кроме того, чипы памяти GDDR5, работающие при питающем напряжении 1,35 В, потребляют на 20% меньше электроэнергии, чем устройства стандарта GDDR4 (1,8 В).

Новые устройства предлагаются в виде модулей со схемой организации 32Mx32, но также возможна и конфигурация 64Мх32. Ожидается, что доля чипов GDDR5 на рынке графической памяти в текущем году превысит 20%. Ещё указывается на то, что компания планирует до конца 2009 г перевести всё производство устройств видеопамяти на 50-нм техпроцесс.