Samsung протестировала свой первый 40-нм DRAM-чип

Южнокорейская компания Samsung Electronics готовится к переходу на новый техпроцесс. По заявлению Герда Шаусса, директора Samsung Semiconductor Europe по маркетингу памяти, Samsung уже выпустила первые образцы 40-нм DRAM-микросхем и проверила ее пригодность к работе.

Ожидается, что переход на 40-нанометровый техпроцесс ускорит время выхода новой продукции на рынок примерно на 50%, так что оно будет составлять около года. К концу 2009 года компания Samsung планирует применять 40-нанометровую технологию в массовом производстве 2-гигабитных устройств DDR3. Более «тонкие» проектные нормы позволят снизить напряжение питания по сравнению с устройствами, произведенными по 50-нанометровой технологии, а это, по прогнозам компании, должно сократить энергопотребление примерно на 30%. Кроме того, производительность новых чипов увеличится примерно на 60% по сравнению с 50-нм микросхемами.

Samsung считает, что внедрение 40-нанометрового процесса станет важным шагом на пути к разработке технологий создания сверхпроизводительных компонентов DRAM нового поколения, DDR4.