IBM и европейские университеты ищут преемника КМОП-технологии
Компании
По мнению участников проекта Steeper, это количество энергии можно снизить практически до нуля за счет перехода с традиционных металл-оксидных полупроводников (КМОП или CMOS) на полевые транзисторы с туннельным эффектом (tunneling field-effect transistor, T-FET). Транзисторы с туннельным эффектом были разработаны еще в 1994 году, и текущая задача исследователей заключается в поднятии производительности T-FET-чипов для замены в современных процессорах и наборах логики. Как сообщает доктор Хайке Риель (Heike Riel)из IBM, ключевым моментом станет использование нанопроводников в канале транзистора для снижения тока утечки.
Рабочее напряжение T-FET-чипов будет всего 0,5 В. На трехлетний проект выделяется $5,5 млн, а в результате должна появиться технология производства T-FET-чипов на существующих производственных линиях.