Ученые создали гибрид графена

Исследователи университета Rice нашли способ обточки графена и гексагонального нитрида бора (h-BN) в двумерную структуру, открыв тем самым новые пути изучения материалов.

Данная технология напрямую связана с использованием графеновых материалов в микроэлектронике и имеет гораздо меньшие ограничения по сравнению с кремнием, которые определяются по закону Мура.

Слои h-BN имеют ту же структуру что и решетка графена, но электрически, материалы находятся на противоположных концах спектра: h-BN является диэлектриком, тогда как графен является одноатомным слоем углерода с высокой проводимостью. Их способность объединяться в решетку открывает богатое разнообразие двумерных структур, электрические свойства которых варьируются от металлического проводника до полупроводника или изолятора. Поскольку графен является проводником, а h-BN – изолятором, в зависимости от их соотношения будет определяться проводимость нового материала.

Последние несколько лет графен является предметом исследований. Всё из-за его высокой проводимости и возможности ей управлять. Слой графена представляет собой гексагональную решетку атомов углерода. Графен впервые был выделен в 2004 году Британскими учеными.