Intel продолжает разработку 3D-транзисторов

Одна из основных проблем, которые придется решить производителям полупроводников при разработке более совершенной продукции новых поколений – повышение быстродействия и минимизация энергопотребления. Это заставляет исследовательские коллективы компаний изыскивать все новые и новые решения, которые бы позволили, в первую очередь, усовершенствовать базовые элементы, лежащие в основе любой микросхемы, то есть – транзисторы. Компания Intel начала говорить о перспективах применения трехзатворных транзисторов (они же – Tri-Gate, или 3D-транзисторы) еще в 2002 г., а к сегодняшнему дню разработки компании уже позволяют ей заявлять о первых тестовых результатах и возможных сроках практического внедрения этой технологии.

Применение подобной трехмерной структуры организации транзисторов позволяет улучшить их характеристики по сравнению с планарными вариантами сразу в нескольких направлениях: снизить токи утечки, в том числе и в «выключенном» состоянии, втрое увеличить рабочий ток либо уменьшить рабочее напряжение при той же величине тока, снизить время включения-выключения транзистора. Экспериментальные экземпляры трехзатворных транзисторов, изготовленных по 65-нм техпроцессу, по заявлениям Intel, обеспечивают 45% прирост быстродействия и 50% снижения тока в «выключенном» состоянии. Компания предполагает, что появление новой технологии в массовых устройствах может начаться в 2009 г., вместе с освоением 32-нм норм производства, и обеспечит 35% снижение энергопотребления чипов.