Транзистор нового поколения на индий-галлий-арсениде

Учёные Массачусетского технологического института считают, что возможности современных полупроводниковых материалов не смогут удовлетворять потребности производителей уже через 10-15 лет. После достижения определённого предела, для дальнейшей миниатюаризации, наращивания мощностей и функциональности портативной техники, а также совершенства других электронных устройств придётся искать новые полупроводниковые материалы.
Сотрудники MIT предлагают своё решение этой задачи, которое будет детально рассмотрено 11 декабря на мероприятии, посвященном электронным устройствам. Его инициатор – организация IEEE. Массачусетские учёные считают, что полупроводниковыми материалами следующего поколения для изготовления транзисторов станет семейство так называемых "полупроводников III-V". Такое название отображает тот факт, что они состоят из элементов с валентностями III и V. В качестве эксперимента исследователи использовали многослойную структуру с квантовыми ямами (гетероструктура с тонкими, несколько нанометров, слоями) - индий-галлий-арсенид (InGaAs). Им удалось сконструировать InGaAs-транзистор, который работает в 2,5 раза быстрее традиционных кремниевых. Группа учёных во главе с профессором Аламо (Alamo) продемонстрировала работу транзистора на структурах с квантовыми ямами, питая его довольно низким напряжением – всего 0,5 В.
Конечно, пока до внедрения новой разработки в массовое производство еще далеко и придётся преодолеть ещё много барьеров. Но Аламо считает, что прототипы устройств на InGaAs-транзисторах будут разработаны уже через два года. Примечательно, что одним из спонсоров исследований является компания Intel. Заглядывание в будущее - хорошее качество, которое у неё не отнимешь.