TSMC готова к массовому производству по 40-нм нормам

В ожидании повсеместного освоения нового поколения дизайна чипов Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) завершила подготовку для перехода на массовое производство продукции по 40-нм техпроцессам. По словам компании, многие ее конкуренты, включая Chartered, IBM, Samsung, SMIC и UMC, анонсировали свои 45-/40-нм техпроцессы, но фактически еще не дошли до массового изготовления. (Как это утверждение согласуется с недавним заявлением IBM о готовности к приему заказов на 45-нм производство – не вполне понятно.)

Аналитики, оценивающие перспективы развития новых технологий в условиях общей рецессии, считают возможным как замедление, так и ускорение процессов их внедрения. И пока что, похоже, TSMC следует по второму варианту, делая ставку на большую эффективность в противовес прогнозируемому снижению загрузки производственных мощностей до 75% и ниже. Компания сообщила, что решение разместить заказы на производство чипов по 40-нм нормам уже приняли несколько предприятий, включая Altera, AMD, Broadcom, LSI, Marvell, Nvidia, NXP, ST и Sun. Основных разновидностей 40-нм техпроцесса TSMC две – для электроники общего назначения (40G) и для компонентов с пониженным уровнем энергопотребления (40LP).

Техпроцесс 40G ориентирован на высокопроизводительные приложения, включая процессоры, графические и сетевые чипы, программируемые логические матрицы (field programmable gate arrays, FPGA) и т.д. Использовать 40LP предполагается для чипов, где минимальное потребление является одним из основных требований – в сигнальных процессорах для сотовой связи, процессорах приложений, компонентах портативной потребительской электроники и беспроводных устройствах. Обе разновидности техпроцесса прошли все необходимые стадии квалификации и достигли статуса «первых выпущенных подложек». В обоих случаях доступны опции смешанных (цифровых и аналоговых) сигнальных цепей, включения радиочастотных блоков, а также блоков встроенной памяти.

Помимо 40-нм, TSMC претендует на лидерство и по другим нормам. Так, в сентябре компания анонсировала 32-и 28-нм техпроцессы, причем 32-нм был заявлен как удешевленная версия 40-нм, тогда как 28-нм будет «полноформатным». Для 28-нм TSMC планирует предложить две версии, отличающиеся базовым материалом затворов полупроводников – это будет либо повсеместно применяемый оксинитрид кремния (silicon oxynitride, SiON), либо более эффективный затвор на базе металла и диэлектрика с высоким коэффициентом диэлектрической пропускаемости (high-k/metal-gate). Техпроцесс 32-нм будет предлагаться только в варианте с SiON-затворами.

Недавно TSMC предприняла также некоторые инициативы по завоеванию лидерства на рынке высоковольтной электроники, расширив спектр 0,13 мкм процессов доступностью 1,5-, 6- и 32-В технологий.