Samsung и SK Hynix снижают темпы наращивания производства памяти

Компании Samsung и SK Hynix, согласно последним данным, решили скорректировать свои планы по расширению производственных мощностей, предназначенных для выпуска микросхем оперативной (DRAM) и твердотельной памяти (NAND). Производители сталкиваются со снижением спроса и стараются избежать потерь.

В последнее время цены на микросхемы памяти в основном росли, в особенности это касалось оперативной памяти (DRAM), но также затрагивало и твердотельную флеш-память (NAND). Однако эта ситуация меняется в лучшую для потребителя сторону. Не так давно мы писали о том, что цены на оперативную память начнут снижаться из-за снижения спроса, а на флеш-память — из-за избыточного производства.

И действительно, аналитики отмечают перенасыщение на рынке твердотельной памяти в третьем квартале 2018 года, из-за чего за текущий квартал она может потерять в цене 10–15 %, если верить прогнозам. Более того, ещё около 15 % цена флеш-памяти сбросит в следующем, четвёртом квартале. И даже в начале будущего года сохранится подобная тенденция. В свою очередь оперативная память пока что дешевеет медленнее, но в следующем квартале темпы могут возрасти.

Поэтому компания Samsung вполне закономерно решила отложить ввод в строй новых производственных мощностей по выпуску флеш-памяти 3D V-NAND до первой половины будущего года. Компания SK Hynix также решила замедлить наращивание объёмов производства твердотельной памяти 3D NAND.

Сообщается также, что Samsung решила повременить и с планами по расширению производственных мощностей по выпуску микросхем оперативной памяти 10-нм класса на фабриках в Пхёнтхэке и Хвасоне, что в Южной Корее. Изначально в планы Samsung входило уже в этом квартале наладить выпуск дополнительных 30 000 полупроводниковых пластин ежемесячно.