Samsung представила 10-нм LPDDR5-чипы ОЗУ объёмом 8 ГБ

Samsung объявила о выходе первых 10-нм модулей ОЗУ стандарта LPDDR5, ориентированных на флагманские смартфоны с поддержкой мобильных 5G-сетей и ИИ для обеспечения наилучшей скорости и энергопотребления.

Скорость

Максимальная скорость передачи данных LPDDR5 составляет 6400 Мбит/с против 4266 Мбит/с у LPDDR4X из современных флагманских смартфонов. Таким образом, новая память в 1,5 раза превосходит современную. Это позволяет передавать в секунду информацию объемом 51,2 ГБ, что эквивалентно 14 фильмам в Full HD-качестве по 3,7 ГБ. Новая память имеет 2 режима скорости – 6400 Мбит/с с напряжением 1,1 В и экономичный 5500 Мбит/с с 1,05 В.

Энергопотребление

Новая память может сама управлять энергопотреблением в зависимости от ее загрузки – LPDDR5 в режиме глубокого сна («deep sleep mode») снижает энергопотребление в 2 раза относительно режима ожидания («idle mode») современной LPDDR4X. Это позволило на 30% снизить энергопотребление LPDDR5 в сравнении с LPDDR4X.

Начало массового производства и появление в смартфонах

Модули памяти LPDDR5 из 8 чипов общей емкостью 8 ГБ уже прошли этап тестирования, а начало массового производства на заводе Пхёнтхэке, что в Южной Корее, запланировано сразу после поступления первых заказов. Таким образом, новый стандарт памяти можно ожидать в грядущих флагманских смартфонах Samsung, Apple и других топовых производителей.