Samsung и ARM разработают 7-нм чипы с частотой 3 ГГц

Южнокорейская компания Samsung в тандеме с британской компанией ARM работают над созданием нового мобильного процесса, который будет использовать 7- и 5-нанометровый технологический процесс FinFET. Максимальная частота нового чипсета может достигать свыше 3 ГГц.

Сообщается, что 7-нм техпроцесс 7LPP (7nm Low Power Plus) будет готов к производству уже во второй половине текущего года. Технологический процесс 7LPP станет первым, в котором Samsung будет применять для выпуска полупроводниковой продукции литографию в жестком ультрафиолетовом диапазоне (EUV). Техпроцесс 5LPE (5nm Low Power Early) станет развитием 7LPP и позволит повысить размеры кристаллов и уменьшить энергопотребление.

В основе разрабатываемого чипа лягут ядра следующего поколения Cortex-A76. Производительность новых процессоров, изготовленных по 7-нм техпроцессу, по сравнению с Cortex-A75 (10-нм техпроцесс), увеличится на 35%. При этом энергопотребление снизится на 40%.

Первые мобильные процессоры на основе ARM Cortex-A76 выйдут только в следующем году. Готовые гаджеты на их основе пользователи смогут увидеть только к концу 2019 или к началу 2020 годов.