SSD Toshiba BG3 основаны на одной микросхеме памяти

Компания Toshiba анонсировала новые твердотельные накопители серии BG3, предназначенные для использования в мобильных компьютерах. Их особенностью является тот факт, что внутри них находится лишь одна микросхема памяти NAND, но не простая, а 3D NAND TLC BiCS Flash, изготовленная в корпусе BGA.

Toshiba BG3

Новые накопители основаны на 64-слойном модуле памяти, вмещающем 128, 256 и даже 512 Гб информации. Все SSD этой серии исполнены в формате М.2 и поддерживает протокол NVMe при наличии интерфейса PCI-E Gen3x2. Также для Toshiba BG3 характерна функция Host Memory Buffer или HMB, которая использует для кеширования участок системной памяти, что и позволяет в итоге снизить и габариты SSD, и уровень их энергопотребления.

Для новинки от Toshiba характерны очень высокие показатели скорости, с учетом размеров, само собой: при чтении новые Toshiba BG3 выдают 1520 Мб/с, а скорость записи в их случае достигает 840 Мб/с. Все три версии накопителей уже поступили в тестовое производство, и первые образцы направлены потенциальным заказчикам и OEM-производителям для изучения свойств и особенностей. По слухам, в состав ноутбуков, а также некоторых неттопов и десктопов Toshiba BG3 войдут уже в четвертом квартале, и в это время они поступят в свободную продажу по неизвестной пока цене.


Максим Мишенев, MobileDevice


!

Если для Вас конкретно эта новость оказалась важной или интересной - пожалуйста, поделитесь ею в своей любимой социальной сети с помощью кнопок, расположенных под этим текстом. Это поможет нам в будущем делать более качественную подборку материалов, исходя из Ваших потребностей\интересов.




Коды для вставки в блог\форум

blog comments powered by Disqus


Вспомним другие новости из этого раздела?


Hard

←+Ctrl+→

Интересные новости
Видеокарты дешевеют, и это ещё не пределВидеокарты дешевеют, и это ещё не предел
Shuttle XPC SH370R6 – мощный ПК в компактном исполненииShuttle XPC SH370R6 – мощный ПК в компактном исполнении
Corsair готовит необслуживаемую СЖО Hydro H100i Pro с автоматическим отключением вентиляторовCorsair готовит необслуживаемую СЖО Hydro H100i Pro с автоматическим отключением вентиляторов
Как армия китайских клонов AMD может навредить Intel?Как армия китайских клонов AMD может навредить Intel?
Samsung приступила к производству 96-слойной памяти 3D NANDSamsung приступила к производству 96-слойной памяти 3D NAND
Блок рекламы


Похожие новости

Samsung приступила к производству 96-слойной памяти 3D NANDSamsung приступила к производству 96-слойной памяти 3D NAND
Выпуск памяти Fujitsu NRAM на углеродных нанотрубках начнётся в 2019 годуВыпуск памяти Fujitsu NRAM на углеродных нанотрубках начнётся в 2019 году
GIGABYTE раскрыла характеристики игровой памяти Aorus RGBGIGABYTE раскрыла характеристики игровой памяти Aorus RGB
Подорожание памяти в третьем квартале может быть последнимПодорожание памяти в третьем квартале может быть последним
Обновлённый ноутбук Toshiba Portege X30 появился в продажеОбновлённый ноутбук Toshiba Portege X30 появился в продаже
Xiaomi готовит новую станцию беспроводной зарядкиXiaomi готовит новую станцию беспроводной зарядки
EVGA предлагает две модели GeForce GTX 1050 с объёмом памяти 3 ГбайтEVGA предлагает две модели GeForce GTX 1050 с объёмом памяти 3 Гбайт
Xiaomi Mi Smart Mouse Pad: коврик для мыши с функцией беспроводной зарядкиXiaomi Mi Smart Mouse Pad: коврик для мыши с функцией беспроводной зарядки
Представлен новый стандарт карт памяти SD Express с максимальной скоростью 985 МБ/с и объёмом до 128 ТБПредставлен новый стандарт карт памяти SD Express с максимальной скоростью 985 МБ/с и объёмом до 128 ТБ
Micron начала массовое производство памяти GDDR6Micron начала массовое производство памяти GDDR6
Последние новости

Подгружаем последние новости