Графен позволит создавать транзисторы толщиной в один атом

В то время, как компания IBM осваивает 32-нм техпроцесс, исследователи идут по другому пути ради миниатюризации интегральных микросхем – снижение размеров транзисторов за счет использования новейших материалов, в том числе и графена. Для начала определимся, что графеном является тонкая углеродная «пленка» толщиной в один атомный слой. Именно этот материал и стал основой для рекордно миниатюрных транзисторов, толщина которых равна одному атому, а ширина – десяти.

Столь впечатляющих результатов добились физики университета Манчестера – Костя Новоселов (Kostya Novoselov) и профессор Андре Гейм (Andre Geim). По их мнению, вполне возможно добиться такой миниатюризации компонентов интегральной схемы, что размеры транзистора сравнятся по размеру с не самой сложной молекулой. И в этом случае наиболее оптимальным материалом для создания транзисторов является именно графен, так как в этом случае сохраняется проводимость при использовании чрезвычайно тонкого, толщиной в один атом, материала.

Но самое главное, что графен может стать отличной заменой кремниевой электронике, ведь уже сегодня многие исследователи предсказывают, что добравшись до 10-нм технологического процесса (это событие, принимая в расчет современные темпы развития микроэлектроники, наступит в течение ближайших 10-20 лет) дальнейшая миниатюризация компонентов интегральных микросхем станет невозможной. Именно в этом случае на помощь разработчиками и должен прийти графен.

К некоторому сожалению приходится констатировать, что появление графеновых микросхем – дело относительно далекого будущего, ведь создать один «одноатомный» транзистор относительно просто, а вот изготовление полноценной микросхемы потребует чрезвычайно точных инструментов, способных тонко манипулировать отдельными атомами вещества, что на сегодняшний день является неразрешимой задачей.