IBM показала преимущества технологии High-K/Metal Gate

Исследовательский альянс крупнейших представителей полупроводниковой отрасли, объединивший во имя общего дела компании IBM, Chartered Semiconductor, Freescale, Infineon Technologies AG, Samsung Electronics, STMicroelectronics и Toshiba Corporation, сообщил о первых практических испытаниях новой технологии HKMG (High-K/Metal Gate), предусматривающей использование диэлектриков с высоким значением диэлектрической постоянной и металлических затворов. В тексте пресс-релиза не упоминается компания AMD, но, как заверил главный менеджер IBM по разработке 32-нм техпроцесса Мукеш Кар (Mukesh Khare), она является технологическим партнёром IBM и будет иметь доступ к новым разработкам.

Образцы 32-нм чипов, вооруженных High-K диэлектриками и металлическими затворами, были выпущены на 300-мм оборудовании крупнейшей фабрики IBM, расположенной в городе Ист Фишкилл (East Fishkill). По заявлениям разработчиков, применение технологии HKMG для выпуска 32-нм микросхем позволяет повысить производительность на 35% по сравнению с 45-нм чипами, функционирующими под таким же рабочим напряжением. Кроме того, энергопотребление новых 32-нм чипов оказалось на 30-50% ниже, чем у их 45-нм собратьев. По итогам тестовых испытаний было установлено, что применение металлических затворов и High-K диэлектриков позволяет при использовании тех же проектных норм получать прирост производительности до 40%.

Как сообщается, участники альянса Common Platform, IBM, Chartered и Samsung стали первыми в OEM-отрасли, представившими технологию HKMG рамках 32-нм техпроцесса. Также отмечается возможность использования HKMG и в 22-нм производстве.

Напоследок напомним, что технология HKMG была представлена компанией IBM и её тогдашними партнёрами, AMD, Sony и Toshiba, еще в конце января прошлого года. Как и Intel, IBM намерена использовать High-K диэлектрики на основе гафния. Подробнее об этом читайте в наших материалах.