Nikon выпустит сканер для 32-нм техпроцесса до конца 2008 года

Японская корпорация Nikon на днях озвучила планы по производству первых 193-нм иммерсионных сканеров, использующих технологию экспонирования с двойным шаблоном (double patterning) до конца 2008 года. Аппарат получил наименование NSR-S610C. Известно, что сканер будет поддерживать фирменные технологии Tandem Stage и Local Fill. Других технических характеристик пока не приводится.

Напомним, что методики двойного экспонирования (double exposure), к которым и относится экспонирование с двойным шаблоном, признаются основными конкурентами застрявшей на стадии разработки EUV-литографии (литография жестким ультрафиолетом, вакуумная литография), по крайней мере, в качестве основы для 32-нм технологического процесса. Смысл методики заключается в последовательном применении двух шаблонов во время прожига фоторезиста для получения рисунка с размерами элементов, не достижимыми с помощью обычных методов оптической литографии.

По расчетам отраслевых аналитиков 32-нм проектные нормы для производства КМОП-микросхем будут внедрены в массовое производство в 2011 – 2013 годах. Для того чтобы не отстать от графика, производители оборудования для полупроводниковой промышленности должны позаботиться о разработке литографических сканеров не позднее конца 2008 – начала 2009 годов.