Toshiba и SanDisk готовы к выпуску 43-нм флэш-памяти

Компании Toshiba и SanDisk почти одновременно опубликовали на своих сайтах пресс-релизы, в которых заявили об успешном освоении 43-нм КМОП-совместимого техпроцесса для выпуска чипов флэш-памяти типа NAND. Такое совпадение не случайно – компании вели совместную работу над разработкой новой производственной технологии. К слову, слухи о намерениях Toshiba перейти на 43-нм нормы появились еще весной прошлого года.

Согласно планам Toshiba, первыми на рынок выйдут 16-Гбит микросхемы с многоуровневой архитектурой (MLC). Их массовое производство стартует уже в следующем месяце, а поставки ознакомительных образцов начались с момента анонса. Площадь 16-Гбит кристалла составляет 120 мм², что на 30% меньше по сравнению с 56-нм кристаллами такой же емкости.

В третьем квартале компания запустит производство 32-Гбит чипов. Отметим, что новые 43-нм микросхемы будут выпускаться на 300-мм производственных линиях завода Fab 4, основанного совместно компаниями Toshiba и SanDisk.

SanDisk, в свою очередь, начнет поставки 43-нм 16-Гбит чипов, которые также будут производиться на мощностях Fab 4, во втором квартале текущего года . Во второй половине 2008 года на рынок выйдут 32-Гбит модели. В пресс-релизе компании отмечается, что во второй половине года на 43-нм производство перейдет и Fab 3.