Samsung выпустила RDIMM-модули на 3D-чипах

Компания Samsung Electronics заявила о разработке модулей регистровой памяти (RDIMM, Registered Dual Inline Memory Module), которые используют фирменную технологию формирования 3D-чипов TSV (Through Silicon Via). Новинки нацелены на использование в серверах и корпоративных системах хранения данных.

Новые модули спроектированы на базе микросхем 40-нм класса и обладают ёмкостью 8 Гбайт. Благодаря использованию современных технологий и компонентов потребляемая мощность новинок на 40% меньше по сравнению с типичными RDIMM-решениями. Технология TSV позволяет существенно увеличить плотность чипов памяти, что, в свою очередь, обеспечит уменьшение количества гнёзд для модулей памяти в серверах следующих поколений на 30%. При этом максимальная ёмкость ОЗУ увеличится более, чем на 50%. Samsung называет свою технологи ключом к разгадке парадоксальной задачи уменьшения потребляемой мощности при увеличении ёмкости памяти и повышения производительности.

Компания заявляет о том, что её партнёры уже протестировали и одобрили новые модули. Массовое внедрение технологии 3D TSV Samsung ожидает в 2012 году.