Samsung выпустила 4-Гбит LPDDR2-чипы 30-нм класса

Южнокорейская компания Samsung Electronics заявила о начале поставок первых в отрасли монолитных чипов типа LPDDR2 (low power double data rate) ёмкостью 4 Гбит, которые выполнены на основе техпроцесса 30-нм класса. Передовые микросхемы нацелены на использование в смартфонах и планшетных ПК класса high-end.

Пропускная способность новой памяти составляет 1066 Мбит/с, что приравнивает её по производительности ко многим решениям для настольных компьютеров. Если же сравнивать с памятью предыдущего поколения Mobile DDR, которая характеризуется пропускной способностью от 333 до 400 Мбит/с, то прирост быстродействия составляет около 100%.

В этом месяце Samsung также планирует выпустить чипы ёмкостью 8 Гбит. Они будут представлять собой две 4-Гбит микросхемы LPDDR2, упакованные в один корпус. До сих пор 8-Гбит микросхемы этого типа создавались из четырёх 2-Гбит чипов. Уменьшение количества чипов позволяет уменьшить высоту корпуса с 1 до 0,8 мм, а также добиться экономии 25% электроэнергии. В более отдалённом будущем Samsung также планирует выпустить 16-Гбит память на основе четырёх 4-Гбит чипов.