Intel усовершенствовала транзисторы следующего поколения

Intel заявила об успешном изготовлении полевого транзистора с использованием индий-галлий-арсенида (InGaAs) на кремниевой подложке путём интегрирования затвора с высокой диэлектрической постоянной. Изолятор с высоким значением этого параметра позволяет уменьшить толщину оксида затвора без последствий в виде роста утечек зарядов. Получившийся комплексный полупроводниковый элемент с квантовыми ямами (quantum-well FET, QFET; квантовая яма – это структура, где частицы ограничены одной координатой) продемонстрировал высокие скорость переноса и ток возбуждения, что делает архитектуру InGaAs-on-Si привлекательным решением, но масштаб элементов должен быть снижен перед коммерциализацией технологии.

Снимок просвечивающего электронного микроскопа

По словам вице-президента Technology and Manufacturing Group и директора подразделения исследований компонентов в Intel Labs Майка Мэйберри (Mike Mayberry), длина затвора составляет 40 нм, однако контакты по-прежнему большие. Следующая задача заключается в их уменьшении, что минимизирует барьер между металлическими контактами и квантовой ямой. Intel более трёх лет работает над составными полупроводниками с целью интегрирования быстродействующих InGaAs-транзисторов на кремниевых подложках. Были преодолены несколько препятствий на пути к коммерциализации полупроводников класса III-V (с элементами соответствующих групп периодической таблицы), включая возможность объединения транзисторов из кремния и InGaAs на одном кристалле и создание элементов p- и n-типа.

Чипмейкер разработал диэлектрик с высоким значением диэлектрической постоянной (high-k dielectric), отличный от материала, используемого в кремниевых транзисторах. В новом high-k-материале используется комплексная структура из 4-нм слоя тантала и оксида кремния на 2-нм запирающем слое из индий-фосфора. Чтобы получить высокую мобильность переноса в QFET, два материала буферного слоя – индий-алюминий-арсенид и индий-фосфор – были размещены между диэлектриком и квантовой ямой. Мэйберри уверен, что транзисторы класса III-V могут начать вытеснять традиционные кремниевые технологии с 2015 года, но только если задачи интеграции будут решены. В противном случае такие элементы всё равно станут кандидатами на совмещение с кремнием для специализированных областей, таких как фотонные устройства и транзисторы для периферийной поддержки работы чипа.

Денис Борн, 3DNews





Интересные новости
Экспресс тест: ATI Mobility Radeon HD 3470
Экспресс-тест: Atom N450 против Atom N270/N280, Celeron M 353 и VIA C7-M
Многообразие версий GeForce GTX 460 от партнёров NVIDIA
Экспресс-тест: ATI Mobility Radeon HD 5470
48 ядер в 2007 году?
Блок рекламы


Похожие новости

Intel презентувала новий процесор на тлі чуток про запуск Windows 12Intel презентувала новий процесор на тлі чуток про запуск Windows 12
Intel уходит из РоSSииIntel уходит из РоSSии
Власти Италии не теряют надежды привлечь Intel к строительству локального предприятияВласти Италии не теряют надежды привлечь Intel к строительству локального предприятия
Huawei анонсировала выход на международный рынок мобильного компьютера 2-в-1 MateBook E на базе Intel Tiger LakeHuawei анонсировала выход на международный рынок мобильного компьютера 2-в-1 MateBook E на базе Intel Tiger Lake
Intel и AMD прекратили поставки своей продукции в РоSSиюIntel и AMD прекратили поставки своей продукции в РоSSию
Intel не ограничится строительством предприятия в Германии в ходе освоения ЕвропыIntel не ограничится строительством предприятия в Германии в ходе освоения Европы
Intel и AMD приостановили поставки продукции в РоSSиюIntel и AMD приостановили поставки продукции в РоSSию
Intel будет непросто остановить рост доли рынка AMD, несмотря на технологический прогресс, считают аналитикиIntel будет непросто остановить рост доли рынка AMD, несмотря на технологический прогресс, считают аналитики
Intel Alder Lake для тонких ноутбуков смогут потреблять до 64 Вт энергии и будут быстрее предшественников до 70 %Intel Alder Lake для тонких ноутбуков смогут потреблять до 64 Вт энергии и будут быстрее предшественников до 70 %
Intel Alder Lake разгромили Ryzen в японской рознице — доля AMD в январских продажах рухнула до 25 %Intel Alder Lake разгромили Ryzen в японской рознице — доля AMD в январских продажах рухнула до 25 %
Последние новости

Подгружаем последние новости