Toshiba предложила технологию для 20-нм КМОП полупроводников
Компания
Новая технология предполагает формирование трех слоев в канале: эпитаксиального кремния, кремния, легированного углеродом (Si:C), и слоя Si:C, легированного бором. При этом верхний слой эпитаксиального кремния выполняет роль проводника с низким сопротивлением для электронов и дырок; средний слой Si:C препятствует диффузионному распространению примеси, а нижний слой Si:C, легированный бором, подавляет утечки, вызванные формированием слоя Si:C. По данным Toshiba, применение новой структуры позволяет получить выигрыш в производительности на 15-18% по сравнению с традиционными технологиями. Предложенная структура может быть использована для формирования как nMOS, так и pMOS транзисторов, причем переход на ее использование требует внесения всего лишь нескольких относительно простых этапов в обычный процесс изготовления CMOS-чипов.