Hynix будет производить флэш-память по 57-нм техпроцессу

Представители компании Hynix Semiconductor на днях объявили о возможном переходе производства флэш-памяти NAND на 57-нм техпроцесс уже в 3 квартале этого года. Этот шаг позволит снизить издержки на производство продукции и ужесточить конкурентную борьбу за лидерство с Samsung Electronics и Toshiba, которые уже на протяжении долгого времени производят чипы памяти по 50-нм и 56-нм техпроцессу.
Согласно данным официальных источников, Hynix Semiconductor сегодня владеет 18,5% рынка флэш-памяти, а переход на внедрение более совершенных в технологическом плане 57-нм чипов может резко повысить эти показатели. Как уже отмечалось выше, модернизация подобного рода обеспечит инженерам Hynix снижение расходов на производство флэш-чипов более чем на 20%, что может сказаться на цене новинок рынка.
Согласно планам разработчиков, вслед за переходом к 57-нм стандартам, уже в первом квартале 2008 года компания предполагает начать внедрение 48-нм норм. В то же время разработчики Toshiba сегодня довольно комфортно чувствуют себя на рынке с продуктами, изготавливаемыми по 56-нм техпроцессу.