Новая память Micron выдержит 300 тыс. циклов записи

Micron анонсировала выпуск образцов флеш-памяти, которая характеризуется, согласно данным компании, в несколько раз большим количеством циклов записи, чем у существующих на рынке предложений. Производитель назвал новую линейку продуктов Enterprise NAND. Микросхемы изготавливаются по 34-нм технологическому процессу. Чипы ёмкостью 16 Гбит основаны на одноуровневых ячейках (SLC) и способны выдержать до 300 тыс. циклов записи. Заявлено, что это в три раза превосходит возможности стандартных NAND. Чипы с многоуровневыми ячейками (MLC) имеют ёмкость 32 Гбит и 30 тыс. циклов – в 6 раз больше стандартных MLC.

Обе модели флеш-памяти поддерживают ONFI (Open NAND Flash Interface – открытый интерфейс флеш NAND) версии спецификаций 2.1, что означает скорость передачи данных до 200 Мб/с. По словам Micron, продукты серии Enterprise NAND предназначены для требовательных к подсистеме памяти приложений. Старт массового производства планируется на начало следующего года. В июле компания заявляла о намерении выпускать флеш-накопители с интерфейсом PCIe. Возможно, эти решения будут оснащаться контроллерами от SandForce, поздравившей Micron с разработкой новых 34-нм чипов.